100 Gigawatt Điện Mặt Trời Màng Mỏng CdTe Có Thể Đạt Được Vào Năm 2030

Bài báo thảo luận về một nghiên cứu gần đây đề ra một lộ trình để Hoa Kỳ sản xuất 100 gigawatt (DC) tấm pin mặt trời màng mỏng cadmium telluride (CdTe) hàng năm vào năm 2030. Công nghệ pin mặt trời màng mỏng CdTe khác với các tế bào silicon truyền thống ở chỗ sử dụng quy trình dựa trên dung dịch để phủ các lớp mỏng cadmium telluride lên các tấm kính, mang lại các lợi thế như chi phí thấp hơn, sản lượng sản xuất cao hơn và dấu chân năng lượng nhỏ hơn. Mặc dù các tấm pin mặt trời CdTe hiện chiếm phần lớn thị trường năng lượng mặt trời quy mô tiện ích tại Mỹ, chúng chỉ chiếm khoảng 3% công suất năng lượng mặt trời toàn cầu do hiệu suất chuyển đổi tương đối thấp hơn so với các tế bào silicon. Bộ Năng lượng Hoa Kỳ, phối hợp với các nhà lãnh đạo ngành như First Solar, đã làm việc trong nhiều thập kỷ để cải thiện công nghệ CdTe và chuỗi cung ứng, kết tinh trong một lộ trình chi tiết được công bố trên tạp chí Joule. Hai thách thức chính cần được giải quyết để đạt được mục tiêu sản xuất 100 GW hàng năm: đảm bảo nguồn cung tellurium trong nước đáng tin cậy.