Chip silicon flash 2D đạt tốc độ kỷ lục, hiệu suất bộ nhớ 94%

Các nhà nghiên cứu tại Đại học Fudan đã phát triển chip bộ nhớ flash 2D đầy đủ tính năng đầu tiên trên thế giới, tích hợp với công nghệ CMOS silicon truyền thống, đạt tốc độ vận hành kỷ lục và tỷ lệ thu hoạch ô nhớ lên đến 94,3%. Chip lai này hỗ trợ các thao tác lệnh 8 bit và truy cập ngẫu nhiên song song tốc độ cao 32 bit, vượt trội so với tốc độ của bộ nhớ flash hiện có. Đột phá này đánh dấu bước tiến quan trọng trong việc kết hợp vật liệu bán dẫn 2D siêu mỏng—chỉ dày vài nguyên tử—với nền tảng silicon đã trưởng thành, giải quyết các hạn chế then chốt về tốc độ và tiêu thụ điện năng vốn đã cản trở các hệ thống tính toán AI và xử lý dữ liệu lớn. Nhóm nghiên cứu đã vượt qua những thách thức lớn trong việc tích hợp các vật liệu 2D mỏng manh lên bề mặt không bằng phẳng của các tấm wafer silicon truyền thống bằng cách sử dụng vật liệu 2D linh hoạt và phương pháp liên kết theo mô-đun ở cấp độ nguyên tử. Phương pháp này cho phép kết nối ổn định, mật độ cao giữa hai công nghệ, tạo điều kiện giao tiếp hiệu quả và mở đường cho sản xuất quy mô công nghiệp. Chip đã hoàn thành giai đoạn tape-out và kế hoạch đang được triển khai để thiết lập dây chuyền sản xuất thử nghiệm nhằm mở rộng quy mô sản xuất.