Pin kẽm–brom của Trung Quốc chạy được 700 chu kỳ với sự ăn mòn tối thiểu

Các nhà khoa học Trung Quốc do Giáo sư LI Xianfeng tại Viện Vật lý Hóa học Đại Liên dẫn đầu đã phát triển một hệ thống phản ứng chuyển electron hai lần dựa trên brom mới, giúp cải thiện đáng kể hiệu suất pin dòng kẽm–brom. Đột phá này giải quyết một thách thức lớn trong pin dòng brom: sự tích tụ của brom nguyên tố ăn mòn (Br2) trong quá trình sạc, vốn thường làm tăng tốc độ xuống cấp của các thành phần và rút ngắn tuổi thọ pin. Bằng cách đưa các hợp chất amin làm chất hấp thụ brom vào dung dịch điện phân, các nhà nghiên cứu đã chuyển brom tự do thành các hợp chất amin brom hóa, duy trì nồng độ brom ở mức cực thấp (khoảng 7 mM). Phương pháp này giảm tính ăn mòn của dung dịch điện phân và tăng cường độ ổn định cũng như mật độ năng lượng của pin. Việc áp dụng hệ thống phản ứng này trong pin dòng kẽm–brom cho phép sử dụng màng trao đổi ion tiêu chuẩn, không chứa flo, giúp giảm đáng kể chi phí bằng cách tránh sử dụng các vật liệu chống ăn mòn đắt tiền. Pin đã chứng minh hoạt động ổn định trên 700 chu kỳ ở mật độ dòng điện 40 mA/cm².