Các tế bào năng lượng mặt trời tiếp xúc mặt sau mới của công ty Trung Quốc đạt hiệu suất 27%

Nhà sản xuất Trung Quốc Longi, phối hợp với các nhà nghiên cứu từ Đại học Sun Yat-sen, đã phát triển một phương pháp mới nhằm nâng cao hiệu suất của các tấm silicon có điện trở cao, pha tạp nhẹ dùng cho pin mặt trời. Những tấm silicon này về lý thuyết mang lại hiệu suất cao hơn do có ít vị trí tái kết hợp hơn, nhưng tính giòn của chúng đã hạn chế việc ứng dụng thương mại. Nhóm nghiên cứu đã giải quyết thách thức này bằng cách áp dụng kỹ thuật thụ động hóa mép tại chỗ để kiểm soát quá trình tái kết hợp tại mép, vốn là yếu tố chính làm giảm hiệu suất của các tấm silicon này. Kỹ thuật thụ động hóa này giúp bảo toàn khả năng thu nhận các hạt mang điện và cho phép các tấm silicon phát huy tiềm năng vốn có của chúng về hệ số lấp đầy và hiệu suất cao. Các nhà nghiên cứu đã chế tạo các pin mặt trời tiếp xúc sau dạng lược lai (HIBC) sử dụng cả tấm silicon có điện trở cao (8–10 Ω·cm) và tấm silicon tiêu chuẩn được sản xuất theo phương pháp Czochralski (1.0–1.5 Ω·cm) để so sánh trực tiếp hiệu suất. Kết quả của họ cho thấy việc thụ động hóa mép đã cải thiện đáng kể hiệu suất, đặc biệt là ở các tấm silicon có điện trở cao, vốn nhạy cảm hơn với các vấn đề tại mép.