Phương pháp trồng kim cương mới giảm nhiệt độ thiết bị xuống 41°F

Các nhà nghiên cứu tại Đại học Rice đã phát triển một phương pháp mới từ dưới lên để trồng các bề mặt kim cương có hoa văn trực tiếp lên các thiết bị điện tử, cải thiện đáng kể việc quản lý nhiệt bằng cách giảm nhiệt độ hoạt động xuống 23°C (41°F). Kỹ thuật này sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học plasma vi sóng kết hợp với quang khắc để tạo ra các lớp kim cương chính xác tại những vị trí cần thiết, giúp làm mát tốt hơn cho các công nghệ công suất cao như 5G, radar và trung tâm dữ liệu AI. Khác với các phương pháp truyền thống từ trên xuống vốn chậm, tốn kém và gây hư hại, cách tiếp cận này trồng các tinh thể kim cương từ các hạt nano kim cương trên bề mặt thiết bị, mang lại giải pháp có thể mở rộng và hiệu quả. Quy trình đã được mở rộng thành công trên các tấm wafer kích thước 2 inch sử dụng hai kỹ thuật gieo hạt—quang khắc cho các hoa văn chi tiết và cắt phim bằng laser cho các khu vực lớn hơn—làm cho nó phù hợp với sản xuất hàng loạt. Phương pháp này tương thích với nhiều lớp nền bán dẫn khác nhau như silicon và gallium nitride, cung cấp một nền tảng đa năng để tích hợp quản lý nhiệt bằng kim cương trên nhiều thiết bị điện tử đa dạng. Các nhà nghiên cứu nhấn mạnh rằng việc làm mát cải thiện với kim cương có thể kéo dài tuổi thọ thiết bị, nâng cao hiệu suất,