Thiết kế pin mặt trời mới giảm 90% khuyết tật, thiết lập kỷ lục perovskite 2D/3D

Các nhà nghiên cứu tại Viện Công nghệ Sinh học và Quá trình Sinh học Thanh Đảo, Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc, đã phát triển một chiến lược kỹ thuật giao diện chôn mới, giúp tăng đáng kể hiệu suất và độ bền của pin mặt trời perovskite. Bằng cách biến đổi các hạt nano dioxide thiếc (SnO₂) với axit thioglycolic (TGA) và oleylamine (OAm), họ đã tạo ra một lớp vận chuyển electron đa chức năng (SnO₂-TGA-OAm) kích thích sự hình thành một lớp perovskite hai chiều (2D) siêu mỏng chỉ tại giao diện chôn trong quá trình tôi nhiệt. Phương pháp nhắm mục tiêu này làm giảm hơn 90% các khuyết tật giao diện mà không ảnh hưởng đến cấu trúc tinh thể khối, vượt qua những hạn chế của các phương pháp trước đây khi hình thành các pha 2D một cách không chọn lọc trên toàn bộ màng phim. Thiết kế mới này đạt hiệu suất chuyển đổi năng lượng kỷ lục 26,19% trên các thiết bị diện tích nhỏ (0,09 cm²) và duy trì hiệu suất cao trên các mô-đun lớn hơn—23,44% cho diện tích 21,54 cm