Chấm lượng tử phát photon nhanh gấp 3 lần với thiết kế mật độ thấp mới

Các nhà khoa học đã phát triển một phương pháp chế tạo mới cho các chấm lượng tử bán dẫn, giúp nâng cao đáng kể hiệu suất của chúng như các nguồn phát photon đơn, với các ứng dụng tiềm năng trong truyền thông lượng tử và tính toán lượng tử quang học. Các chấm lượng tử truyền thống, thường được tạo ra bằng phương pháp Stranski-Krastanov, gặp phải các vấn đề về mật độ cao, cấu trúc không đều và thời gian phát photon chậm (~1 nanô giây), điều này làm phức tạp việc cô lập các nguồn phát đơn và làm giảm hiệu suất. Phương pháp mới sử dụng kỹ thuật khắc giọt cục bộ để tạo các hốc nano trên bề mặt nhôm gallium arsenide (AlGaAs), sau đó được lấp đầy bằng một lớp cực mỏng (~1 nanômét) indium gallium arsenide (InGaAs). Kết quả là các chấm lượng tử có mật độ bề mặt thấp (~0,2-0,3 chấm trên mỗi micromét vuông), đối xứng cấu trúc cao, giảm ứng suất cơ học và thời gian phát photon nhanh hơn đáng kể, với thời gian sống bức xạ khoảng 300 picô giây — nhanh gấp khoảng ba lần so với các chấm thông thường. Ngoài ra, các nhà nghiên cứu đã chứng minh...