Các nhà khoa học xác định trạng thái từ mới cho lưu trữ dữ liệu trong tương lai

Nguồn: interestingengineering
Tác giả: @IntEngineering
Ngày đăng: 26/12/2025
Để đọc nội dung đầy đủ, vui lòng truy cập vào bài viết gốc.
Đọc bài viết gốcCác nhà nghiên cứu từ một số viện của Nhật Bản, bao gồm Viện Khoa học Vật liệu Quốc gia và Đại học Tohoku, đã thực nghiệm chứng minh trạng thái từ hiếm gọi là altermagnetism trong các màng mỏng dioxide ruthenium (RuO₂). Bằng cách kiểm soát chính xác hướng tinh thể của các màng RuO₂ được phát triển trên nền sapphire, nhóm nghiên cứu đã có thể tiết lộ lớp cơ bản thứ ba của từ tính, kết hợp các ưu điểm của từ tính sắt và từ tính phản sắt. Khác với từ tính sắt, altermagnet không có từ hóa ròng, giảm thiểu các vấn đề nhiễu trong các thiết bị thu nhỏ, nhưng khác với từ tính phản sắt, chúng cho phép đọc tín hiệu phụ thuộc spin bằng điện, làm cho chúng trở nên hứa hẹn trong các ứng dụng spintronics và lưu trữ dữ liệu.
Các nhà nghiên cứu đã sử dụng phương pháp phân cực từ tuyến tính tia X để lập bản đồ sắp xếp spin và xác nhận hiện tượng điện trở từ tách spin, cung cấp bằng chứng mạnh mẽ về cấu trúc điện tử tách spin độc đáo của altermagnetism. Phương pháp căn chỉnh mạng tinh thể đồng nhất của họ là chìa khóa để quan sát các hiệu ứng từ tinh tế này.
Thẻ
materialsmagnetic-materialsaltermagnetismRuO2-thin-filmsdata-storagespintronicsmemory-technology